奔驰宝马娱乐

联系我们
北京固力通达机电设备有限公司
联系人:何守胜先生
联系电话:010-62914832 62918073
传真:010-62918279
移动电话:13811015437 
天天彩票www.egmcredit.com版权所有
Email:bjgltd@163.com 
邮编:100085
文章详情

什么是igbt

 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然蕞新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
友情链接:天天彩票开奖直播网  天天彩票网址是多少  天天彩票安卓版  天天彩票开奖直播网  天天彩票  天天彩票  天天彩票手机app下载  天天彩票开奖直播网  天天彩票官方网站  天天彩票主页  天天彩票主页  天天彩票官网  天天彩票主页  天天彩票网  天天彩票手机官网  天天彩票app  天天彩票网站  天天彩票网站  天天彩票投注  天天彩票开奖  

免责声明: 本站资料及图片来源互联网文章,本网不承担任何由内容信息所引起的争议和法律责任。所有作品版权归原创作者所有,与本站立场无关,如用户分享不慎侵犯了您的权益,请联系我们告知,我们将做删除处理!

CopyRight